1Gb D램에 90나노 공정을 적용해 양산을 시작함에 따라 삼성전자는 차세대 나노급 D램 시장의 주도권을 더욱 확고히 유지하게 됐다. 이번에 양산하는 제품은 동작전압 1.8V의 90나노 1Gb DDR2 400/533/667로, 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 최초로 인텔 인증을 획득한 제품이다.
삼성전자 관계자는 “동일 라인 동일 공정에서 마스크(MASK) 교체만을 통해 DDR2와 DDR을 함께 생산할 수 있는 ‘Combo Die’ 공정법을 적용한 DDR-DDR2 동시 양산체제를 갖추고 시장상황에 따라 이르면 3분기부터 90나노 1Gb DDR 400 제품도 양산할 계획”이라고 밝혔다.
또한 올 4분기까지 90나노 1Gb D램 월 1백만 개 생산체제를 갖추고 지속적으로 생산량을 늘려나갈 예정이며, 90나노 공정 비중도 올 연말에는 40%로 확대할 계획이다.
90나노 공정은 0.11㎛(미크론)급 공정대비 약 40% 생산성 향상을 가져와 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 최첨단 메모리 미세공정 기술로, 기가급 대용량 D램에는 필수적인 차세대 공정기술이다.
김경수 기자
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