삼성전자는 세계 최초로 90나노(1나노 : 10억분의 1m, 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 D램의 본격적인 양산에 돌입했다.

1Gb D램에 90나노 공정을 적용해 양산을 시작함에 따라 삼성전자는 차세대 나노급 D램 시장의 주도권을 더욱 확고히 유지하게 됐다. 이번에 양산하는 제품은 동작전압 1.8V의 90나노 1Gb DDR2 400/533/667로, 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 최초로 인텔 인증을 획득한 제품이다.

삼성전자 관계자는 “동일 라인 동일 공정에서 마스크(MASK) 교체만을 통해 DDR2와 DDR을 함께 생산할 수 있는 ‘Combo Die’ 공정법을 적용한 DDR-DDR2 동시 양산체제를 갖추고 시장상황에 따라 이르면 3분기부터 90나노 1Gb DDR 400 제품도 양산할 계획”이라고 밝혔다.

또한 올 4분기까지 90나노 1Gb D램 월 1백만 개 생산체제를 갖추고 지속적으로 생산량을 늘려나갈 예정이며, 90나노 공정 비중도 올 연말에는 40%로 확대할 계획이다.

90나노 공정은 0.11㎛(미크론)급 공정대비 약 40% 생산성 향상을 가져와 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 최첨단 메모리 미세공정 기술로, 기가급 대용량 D램에는 필수적인 차세대 공정기술이다.
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